?

Log in

No account? Create an account

Previous Entry Share Next Entry
Оружие Джидаев средневековья 23
pro_vladimir
dmitrijan: Ну хорошо, вы знаете что такое р-п переход? Это такое конструктивное решение, что позволяет аборигенам накапливать и применять энергию.

http://pro-vladimir.livejournal.com/315923.html

А знаете что такое элемент Пельтье? Это такое сборище этих р-n переходов, способное охлаждать или нагревать. Т.е. осуществлять холодный термоядерный синтез.
А что это значит, если аборигены обнаружили этот элемент в банальных мечах?
А что это значит? Это значит, что при помощи этого синтеза они способны изменять структуру материи при помощи синтеза элементов холодным способом, т.е. без привлечения массовых и огромных структур.
Вообще-то это диод с параллельным конденсатором высокой мощноси.



Только очень длинный диод, потому будет примерно так



А хорошему электрошокеру не нужна заточка.

Гусары!!! Молчать!!!!(с)

pro_vladimir: Пока мимо пробегающие, со своими ограничительными заборами самых разных личностных заблуждений, возвышают себя над всем окружающим миром, ничего для этого не делая и боясь перегреть свой параллельный разум. Мы медленно и не спеша продолжаем рыхлить почву, поливать и ухаживать, за образовавшимся направлением. Да и куда, собственно, торопится.

"p-n переход"
http://electrikam.com/p-n-perexod/

p-n (пэ-эн) переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому, такой переход ещё называют электронно — дырочным переходом.

Всего есть два типа полупроводников это p и n типа. В n — типе основными носителями заряда являются электроны, а в p — типе основными — положительно заряженные дырки. Положительная дырка возникает после отрыва электрона от атома и на месте него образуется положительная дырка.

Что бы разобраться как работает p-n переход надо изучить его составляющие то есть полупроводник p — типа и n — типа.

Полупроводники p и n типа изго­тавливаются на основе монокристаллического кремния, имеющего очень высокую степень чистоты, поэтому малейшие примеси (менее 0,001%) су­щественным образом изменяют его электрофизические свойства.

В полупроводнике n типа основными носителями заряда являются электроны. Для получения их используют донорные примеси, которые вводятся в кремний, — фосфор, сурьма, мышьяк.

В полупроводнике p типа основными носителями заряда являются положительно заряженные дырки. Для получения их используют акцепторные примеси — алюминий, бор.

Полупроводник n — типа (электронной проводимости)

Примесный атом фосфора обычно замещает основной атом в узлах кри­сталлической решетки. При этом четыре валентных электрона атома фосфора вступают в связь с четырьмя валентными электронами соседних четырех атомов кремния, образуя устойчивую оболочку из восьми электронов. Пятый валентный электрон атома фосфора оказывается слабо связанным со своим атомом и под действием внешних сил (тепловые колебания решетки, внешнее электрическое поле) легко становится свободным, создавая повышенную концентрацию свободных электронов. Кристалл приобретает электронную проводимость или проводимость n-типа. При этом атом фосфора, лишенный электрона, жестко связан с кристаллической решеткой кремния положи­тельным зарядом, а электрон является подвижным отрицательным зарядом. При отсутствии действия внешних сил они компенсируют друг друга, т. е. в кремнии n-типа количество свободных электронов проводимости опреде­ляется количеством введенных донорных атомов примеси.

Полупроводник p — типа (дырочной проводимости)

Атом алюминия, имеющий только три валентных электрона, не может самостоятельно создать устойчивую восьмиэлектронную оболочку с соседними атомами кремния, так как для этого ему необходим еще один электрон, который он отбирает у одного из атомов кремния, находящегося поблизости. Атом кремния, лишенный электрона, имеет положительный заряд и, так как он может захватить электрон соседнего атома кремния, его можно считать подвижным положительным зарядом, не связанным с кристаллической решеткой, называемым дыркой. Атом алюминия, захвативший электрон, становится отрицательно заряженным центром, жестко связанным с кристал­лической решеткой. Электропроводность такого полупроводника обусловлена движением дырок, поэтому он называется дырочным полупроводни­ком р-типа. Концентрация дырок соответствует количеству введенных атомов акцепторной примеси.




При контакте слоев с различными типами проводимости (p- и n-слоев) часть электронов проводимости переходит из n-слоя в p-слой и происходит их рекомбинация с дырками (То есть отрицательный электрон закрывает положительно заряженную дырку, и вместе их заряд равен нулю). Часть атомов акцепторной примеси (алюминия, бора), имеющих отрицательный заряд, не компенсируется положительным зарядом дырок, и в этой области p-слоя возникает отрицательный объемный заряд. Электроны, ушедшие из n-слоя, перестают компенсировать положительный заряд атомов донорной примеси (фосфор, сурьма, мышьяк), и в n-слое образуется положительный объемный заряд. Таким образом, вблизи границы p- и n-слоев возникает двойной электрический слой (рис. 1. 1, в). Область двойного-слоя электрических объемных зарядов называется электронно-дырочным переходом, или p-n переходом. Объемные заряды препятствуют дальнейшему диффузионному движению электронов из n-слоя в p-слой и дырок из p-слоя в n-слой. В результате возникновения объемных зарядов образуется потенциальный барьер, высота ф0 которого определяется соотношением концент

раций примесных атомов в p-n переходе и обычно составляет 0,6—0,9 В.




Прямое включение p-n перехода

Если подключить положительный полюс внешнего источника ЭДС к р-слою, а отрицательный — к n-слою то потенциальный барьер снижается на величину приложенного напряжения (рис. 1. 1,6). При этом большая часть электронов проводимости и дырок обладает энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера p-n перехода, и ток через переход резко возрастает. Поступление электронов из внешней цепи в n-слой и удаление их из p-слоя обеспечивают электрическую нейтральность этих слоев. Такое приложенное напряжение называется прямым, а состояние полупро­водниковой структуры — прямым проводящим состоянием. Электрод, под­ключенный к p-слою, называется анодным выводом (анодом), а к n-слою — катодным (катодом).

Обратное включение p-n перехода

Если изменить полярность источника ЭДС так, что положительный полюс окажется соединен с n-слоем, а отрицательный — с p-слоем (рис. 1.1 в), то переход дырок из р-слоя в n-слой и электронов из n-слоя в p-слои сокращается. Более того, дырки, ранее перешедшие из p-слоя в n-слой и не успевшие прорекомбинировать с электронами, будут оттягиваться полем p-n перехода в p-слой. Аналогичным образом электроны проводимости, перешедшие из n-слоя в p-слой, будут оттягиваться полем p-n перехода в n-слой. При этом через полупроводниковую структуру протекает значительный ток (единицы — сотни ампер в зависимости от режима нагрузки), ограниченный только сопротивлением внешней цепи и противоположный по направлению ранее протекавшему прямому току. Такое состояние полупроводниковой структуры называется обратным проводящим состоянием, а протекающий ток — током восстановления запирающих свойств. Спустя некоторое время обычно несколько десятков микросекунд, концентрация избыточных носителей в окрестности р-n перехода уменьшается до нуля и ток через полупровод­никовую структуру также уменьшается. Потенциальный барьер p- n перехода увеличивается на величину приложенного напряжения. Такая полярность прилагаемого напряжения называется обратной, а состояние полупро­водниковой структуры после восстановления запирающих свойств — обрат­ным запертым состоянием.

Заключение

Как видно из выше сказанного p-n переход пропускает ток только в одном направлении (при прямом включении).




Энергетическая диаграмма p-n-перехода. a) Состояние равновесия; b) При приложенном прямом напряжении; c) При приложенном обратном напряжении.



http://p-i-f.livejournal.com/8872823.html

dmitrijan: "Сперва кузнец брал несколько железных прутьев и выжигал из них углерод. Затем складывал их вместе с другими прутьями, содержащими много углерода и проковывал между собой. В итоге, из-под его молота выходила длинная неровная пластина, которую он скручивал винтом, и снова плющил. Эта пластина становилась сердцевиной клинка. На нее, с помощью кузнечной сварки, наваривали металл похуже. Затем клинок зачищали и полировали. Такая кузнечная техника продержалась в Европе вплоть до конца Х века, когда на смену ей пришли более революционные технологии."

Т.е. брал смесь из высокоуглеродистой и малоуглеродистой стали, скручивал и проковывал, получалась этакая многожильная проводка из мало и высокоуглеродистой стали. Этакая вязанка, как любят на античных скульптурах рисовать. Потом это проковывали, потом засовывали в оболочку из металла похуже, типа в кожух, и уж потом полировали! Т.е. вначале делали разнородный веник из металлов с разным содержанием углерода. Что это как не p-n переход? Ведь карандашный грифель (углерод) по металлу даёт эффект диода, реализуя полупроводниковый p-n переход.
А тут из кучи металлических полос его делают. А после ещё и засовывают в кожух!



http://www.ecotoc.ru/alternative_energy/electro/d750/



Вот нам высоко и низкоуглеродистая сталь в контакте в виде обычного полупроводникового диода.

Ну а потом производитель внёс изменения, не влияющие на работоспособность устройства, и кроме как дубасить друг друга этими дубинами стало делать с ними нечего. Короче такой же, но весь из золота.

Генерал очевидность: http://www.mtomd.info/archives/1289

"С ростом содержания углерода в структуре стали повышается электросопротивление"



"Элемент Пельтье"
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D1%82_%D0%9F%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D1%82%D1%8C%D0%B5

Элемент Пельтье — это термоэлектрический преобразователь, принцип действия которого базируется на эффекте Пельтье — возникновении разности температур при протекании электрического тока. В англоязычной литературе элементы Пельтье обозначаются TEC (от англ. Thermoelectric Cooler — термоэлектрический охладитель).

Эффект, обратный эффекту Пельтье, называется эффектом Зеебека.

В основе работы элементов Пельтье лежит контакт двух полупроводниковых материалов с разными уровнями энергии электронов в зоне проводимости. При протекании тока через контакт таких материалов, электрон должен приобрести энергию, чтобы перейти в более высокоэнергетическую зону проводимости другого полупроводника. При поглощении этой энергии происходит охлаждение места контакта полупроводников. При протекании тока в обратном направлении происходит нагревание места контакта полупроводников, дополнительно к обычному тепловому эффекту.





Давайте, теперь самостоятельно придумайте внятную версию на тему, зачем в мече жгут из прутов низкоуглеродистой и высокоуглеродистой стали. Можете прикладывать любые свои мысли. Хоть параллельные, ход перпендикулярные. И почему эти мечи не имели изначально заточки, а раны наносили фатальные.

А люди продолжают искать внеземной разум и следы его пребывание где угодно, но не там, где всё это реально в изобилии есть.


Собрание постов на заданную тему:

http://pro-vladimir.livejournal.com/266616.html Экзоскелеты средневековых рыцарей
http://pro-vladimir.livejournal.com/54721.html Электрическое оборудование прошлого. Часть 5.
http://pro-vladimir.livejournal.com/268808.html Не влезай, убьет!
http://pro-vladimir.livejournal.com/269742.html Оружие Джидаев средневековья
http://pro-vladimir.livejournal.com/269841.html Оружие Джидаев средневековья 2
http://pro-vladimir.livejournal.com/270269.html Оружие Джидаев средневековья 3
http://pro-vladimir.livejournal.com/270836.html Оружие Джидаев средневековья 4
http://pro-vladimir.livejournal.com/271051.html Оружие Джидаев средневековья 5
http://pro-vladimir.livejournal.com/272275.html Оружие Джидаев средневековья 6
http://pro-vladimir.livejournal.com/272848.html Оружие Джидаев средневековья 7
http://pro-vladimir.livejournal.com/273014.html Оружие Джидаев средневековья 8
http://pro-vladimir.livejournal.com/273556.html Оружие Джидаев средневековья 9
http://pro-vladimir.livejournal.com/274110.html Оружие Джидаев средневековья 10
http://pro-vladimir.livejournal.com/274400.html Оружие Джидаев средневековья 11
http://pro-vladimir.livejournal.com/274455.html Оружие Джидаев средневековья 12
http://pro-vladimir.livejournal.com/275116.html Как выглядит "пират"? 2
http://pro-vladimir.livejournal.com/275443.html Как выглядит "пират"? 3
http://pro-vladimir.livejournal.com/275657.html Оружие Джидаев средневековья 13
http://pro-vladimir.livejournal.com/275911.html Оружие Джидаев средневековья 14
http://pro-vladimir.livejournal.com/276137.html Оружие Джидаев средневековья 15
http://pro-vladimir.livejournal.com/276433.html Оружие Джидаев средневековья 16
http://pro-vladimir.livejournal.com/276645.html Оружие Джидаев средневековья 17
http://pro-vladimir.livejournal.com/276933.html Оружие Джидаев средневековья 18
http://pro-vladimir.livejournal.com/277227.html Человек может стать человеком только если рос среди людей.
http://pro-vladimir.livejournal.com/277503.html Оружие Джидаев средневековья 19
http://pro-vladimir.livejournal.com/277580.html Лужу, паяю, работу "нефтеперегонных комплексов" по фотографии починяю
http://pro-vladimir.livejournal.com/277928.html Ну откуда в те годы и плазма? Они же там в шкурах бегали и на дровах мамонта готовили, это все знают
http://pro-vladimir.livejournal.com/278137.html Лужу, паяю, работу "нефтеперегонных комплексов" по фотографии починяю 2
http://pro-vladimir.livejournal.com/278478.html Лужу, паяю, работу "нефтеперегонных комплексов" по фотографии починяю 3
http://pro-vladimir.livejournal.com/280980.html Замки в темноте светились синевато-фиолетовым светом по краю стены
http://pro-vladimir.livejournal.com/281832.html Лужу, паяю, работу "нефтеперегонных комплексов" по фотографии починяю 4
http://pro-vladimir.livejournal.com/281938.html Лужу, паяю, работу "нефтеперегонных комплексов" по фотографии починяю 5
http://pro-vladimir.livejournal.com/282503.html Оружие Джидаев средневековья 20
http://pro-vladimir.livejournal.com/292291.html Оружие Джидаев средневековья 21
http://pro-vladimir.livejournal.com/315923.html Оружие Джидаев средневековья 22 с примесями


Комментировал: dmitrijan
Сложил воедино: Владимир Мамзерев. 23.01.2017




  • 1
только забыли включить схемы тела в эти приборы. неткорые до сих пор статиткой по-ебывают)) когда у них кол-ебательный процесс накачивает что-то.

Ну так "заказывать" детали нужно на разных заводах, как делал некогда некий инженер Гарин.

PS
Вдруг этот пост, это передача секретной информации заинтересованным людям в разных концах мира? Ну а чтобы никто не догадался, есть дешифровальные таблицы, например томик Капитала.

" конденсатором высокой мощноси". Хм,чтобы это значило?

Большая емкость с большим допустимым разрядным током.
Пойдет?

высоковольтно-плазменный резак

то есть при наличии (возможности) колебаний среды (возможно и задающих генераторов),
есть техническая возможность сделать высоковольтно-плазменный резак.

сейчас это не получится из-за "стекания" высоковольтного заряда (благодаря влажности воздуха)

хотя баловство доступно:
https://www.youtube.com/watch?v=2dajGoY9tpI&t=353s
https://www.youtube.com/watch?v=0XbLz0L6UdI

Re: высоковольтно-плазменный резак

Мелко и примитивно!

Re: высоковольтно-плазменный резак

http://pro-vladimir.livejournal.com/317404.html

Здесь чуть шире. Может ответы попадутся на ваши вопросы. На часть вопросов, точнее.

Как это всё работает?

Всё таки хотелось бы прояснить, как это всё работает.
Вот взяли две пластины, в одной много углерода, в другой мало. Наличие углерода влияет на электропроводность. Там где больше углерода, там меньше электропроводность, т.е. больше сопротивление.
Да и наличие вкраплений углерода в кристаллическую решётку металла не приведёт к образованию p-n перехода. Должна быть область где есть графит, как в данном случае, и металл и есть точка соприкосновения между этими областями. С другой стороны в толще пластин могут быть скопления атомом углерода, что-то вроде как не до конца перемешанного сахара или муки в кексах. И размеры этого скопления таковы, что могут образовывать p-n переход. Если таковые скопления есть в толще металла, то они никак не влияют на прохождения тока, т.к. вокруг этих скоплений условно говоря эквипотенциальная область.
Если эти скопления будут на поверхности, то они могут привести к образованию действующего pn перехода, т.к. во первых разная электропроводность в пластинах и также будет падение напряжения в местах соприкосновения пластин и поверхностная ёмкость. И очень важно, чтобы разность напряжения между пластинами была больше 0.6-0.8 Вольт, в противном случае pn переход работать не будет.
Возможно ли образование напряжения размером в 1В между двумя соединёнными пластинами разной электропроводности для меня вопрос.
Всегда будут точки соприкосновения пластин между собой с минимальными потерями на прохождение тока и эти области будут шунтировать все поверхностные скопления углерода (если они есть), которые могут привести к образованию pn перехода.

Re: Как это всё работает?

0.6-0.8 Вольт для кремниевых p-n переходов, а для германиевых гораздо меньше. Есть еще на арсениде галлия, Шоттки и прочая "экзотика". Причем все это было в общем то экспериментальным путем подобрано. Далеко не все ещё известно. Опять же, работа p-n перехода объясняется существующей теорией потому что лучше еще не придумали. Да и само понятие полупроводника подразумевает по определению наличие двух видов проводимости один из которых "дырочный". А вот лампы без этих дырок обходятся прекрасно. Ну и как пытаться нынешней теорией объяснить всё?

Насчет напряжения вообще.
Берем обыкновенный моторчик и подключаем к батарейке, он крутится. При этом на проволоке обмотке допустим 12В. Разбираем моторчик, разматываем обмотку и снова в виде куска проволоки (той же самой) подключаем к источнику напряжения. Правильно, или проволока сгорит или источник питания, но напряжение 12В на концах проволоки получить не удастся. Ну и как это нынешняя теория электричества объясняет? Индуктивностью? а что такое индуктивность? Это свойство! Оно просто есть.
Основное свойство индуктивности препятствовать изменению проходящего через неё тока путем выработки ЭДС противоположной направленности.
А откуда берется это свойство, кто знает? Говорят магнитное поле. Но ведь индуктивность это инерционность. Фактически инерционность магнитного поля, ведь так получается? И к чему мы пришли? Что успешно пользуемся, а что такое никто не знает.
А вы говорите что в букваре не написано, так там много чего ещё не написано.

Edited at 2017-01-25 09:46 am (UTC)

  • 1